Roostevabast terasest DTB kristallisaatoriga täiustatud detailid
DTB kristallisaator on kristallpulber sisemise tsirkulatsiooni kristallisaator. Selle tüüpilised omadused on see, et kristallisaatori sees on segajad, juhttorud ja deflektorid, samuti sobivad soojusvahetusseadmed ja peenkristallide eemaldamise seadmed.
Kristallpulber vedelik tõuseb sisemise juhttoru põhjast läbi sisseehitatud segisti ja puutub kokku vedelikupinnal suurema üleküllastusega alaga, et üleküllastust ära kasutada. Seejärel laskub see mööda rõngakujulist lokaalset ala sisemise juhttoru ja välimise juhttoru vahel. Rõngakujulise pilu juures kristallisaatori silindri ja välimise juhttoru vahel eraldatakse kristallpulbervedelik ja selitatud vedelik ning kristallpulber jätkab allapoole ringlemist. Selitatud vedelik siseneb välisest rõngakujulisest pilust peenkristallide eemaldamise seadmesse, et lahustada üleliigsed peenkristallituumad, mis tagab, et kristalltuumad ei ole liigsed, muutes kristallide osakeste suuruse jaotuse ühtlasemaks.
Aurustumiskristallimise protsessis sõltub üleküllastuse tekke kiirus aurustumiskiirusest, st seadme aurustumisintensiivsusest. Mida suurem on aurustumise intensiivsus, seda kiiremini tekib üleküllastus ja seda lihtsam on moodustada liiga kõrget üleküllastust. Üleküllastuse kõrvaldamine sõltub peamiselt kristalli spontaansest tuumastumisest ja kasvuprotsessist.
Kui kristallisaatoris on piisavalt kristallipinda ja kiirem kasvukiirus, võib aurustumisel tekkiv üleküllastus kristalli pinnal täielikult kasvada ja lahuse üleküllastus ei ületa lahuse suuremat üleküllastust, nii et lahustunud aine ei satuks. kõrvaldada üleküllastumine tuuma moodustumise protsessiga ja seega ei teki suurt hulka kristalltuumeid.
Kui lahuses on ebapiisav kristallipind, ei piisa kristalli kasvust, et kõrvaldada aurustumisel tekkiv üleküllastus, mistõttu lahuse üleküllastus on liiga kõrge ja ebastabiilses piirkonnas. Lahuse üleküllastumine tarbib üleküllastumist spontaanse tuuma moodustumise protsessiga, moodustades seega suure hulga peenosakesi. Seetõttu on aurustumiskristallimise protsessi ajal vaja kontrollida aurustumisintensiivsust nii, et kristallisüsteemi üleküllastus oleks alati kristallide metastabiilses tsoonis, et tagada projekteeritud aurustumiskristallimise seadmete tootmine, mis vastavad aurustumiskristallimise nõuetele. projekteerimisülesanne.
Mida kauem kristall kasvutsoonis püsib, seda kauem kristall kasvab ja seda suurem on kristalli suurus. Suuremõõtmeliste kristallide moodustumine nõuab piisavat kasvuaega. Täpse kristallisatsioonikineetika andmete põhjal kujundame sobiva DTB kristallisaatori vastavalt kristallide kasvukiirusele ja projekteerimisülesandes nõutavale osakeste suurusele.
Algse DTB kristallisaatori põhjal tegi Kang Jinghui kristallisaatorit palju täiustusi, et muuta see paremini vastavusse tegelike tootmistingimustega.
Toimimisviis:pidev kristalliseerumine, katkendlik kristalliseerumine
Kristalliseerimismeetod:vesijahutuskristallimine, aurustuskristallimine, külmkristalliseerimine, vaakumkristallimine
Kui vajate tuge, võtke meiega ühendust:
Nimi: Kelvin
Mobiili/Whatapp nr: K/V:+86 18593449637
E-post:kelvin@cnenco.com